Memorias no volatiles: Una breve historia

Memoria de tambor fue una de las primeras memorias de ordenador. Inventada por Gustav Tauschek en Austria en 1932, fue usadada en los años 1950 y en el decenio de los años 1960. Para muchas máquinas, un tambor constituía la memoria de trabajo principal, siendo los datos y programas cargados a/desde el tambor usando medios tales como cintas perforadas or tarjetas perforadas. se trata de un plato de disco duro que tiene forma de tambor en lugar de tener forma de disco delgado. A lo largo del eje del tambor se dispone una fila de cabezas de lectura-escritura, una por cada pista.
Una diferencia clave entre el tambor y el disco es que en el tambor las cabezas no tienen que moverse, o buscar, para localizar la pista en la que leer o escribir. Esto tiene como consecuencia que el tiempo para leer (o escribir) un fragmento dado de información es menor de lo que sería en un disco; el controlador simplemente espera a que los datos aparezcan bajo la cabeza adecuada según el tambor rota. El rendimiento del tambor queda definido de forma casi exclusiva por la velocidad de rotación, mientras que en un disco son importantes tanto la velocidad de rotación como la velocidad de desplazamiento de las cabezas.

Núcleo magnético de memoria, Utiliza pequeñas magnética de cerámica anillos, los testigos, a través de la cual los cables son roscados para almacenar información a través de la polaridad del campo magnético que contienen.
Aunque la memoria de la computadora hace mucho tiempo se trasladó a los chips de silicio, la memoria de vez en cuando todavía se denomina "núcleo". Esto es más evidente en la denominación del núcleo de volcado, que se refiere a los contenidos de la memoria registrada en el momento de un error de programa.


Alambre chapados en la memoria, es una variación del núcleo de memoria desarrollado por Bell Laboratories en 1957. Su principal ventaja es que puede montar la máquina, que posiblemente dio lugar a precios más bajos que la parte central-montado.
En lugar de enhebrar los distintos Núcleos de ferrita de los cables, alambre chapado en memoria utilizada una red de cables recubiertos con una fina capa de hierro - níquel aleación (llamado permalloy). El campo magnético normalmente almacenados en el propio cable del nucleo de ferrita. Se utilizó en la UNIVAC 1110 y UNIVAC 9000-serie ordenadores, el programa Viking Landers que enviaron a Marte, el equipo de orientación de los Minuteman 3, y en el Telescopio Espacial Hubble.


Twistor memoria, similar a la memoria central, formada por envoltura de cinta magnética actual en torno a una portadora de cable. Aunque los desarrolladores de Bell Labs, tenía grandes esperanzas en Twistor, se utiliza sólo para un breve tiempo en el mercado entre el 1968 y mediados del decenio de 1970. En este periodo todas las formas de la memoria fueron sustituidos por RAM chips, que son rápidos y menos costoso. Twistor es la creación de Bobeck Andrew, que más tarde desarrolló burbuja de la memoria.

Burbuja de la memoria, utiliza una fina capa de un material magnético para celebrar pequeñas zonas magnetizadas, conocido como burbujas, que cada tienda un poco de los datos.Burbuja de la memoria que comenzó como una tecnología prometedora en el decenio de 1970, pero no comercialmente como disco duro los precios cayeron rápidamente en el decenio de 1980.

Actualmente:
Memoria de sólo lectura conocida por ROM es una clase de medios de almacenamiento utilizados en los ordenadores y otros dispositivos electrónicos. Debido a los datos almacenados en ROM no se puede modificar (al menos no muy rápidamente o fácilmente), que se utiliza principalmente para la distribución de firmware (software que está muy estrechamente ligado a hardware específico, y es poco probable que requieren actualizaciones frecuentes).

programable memoria de sólo lectura (PROM) es una forma de memoria digital donde el establecimiento de cada bit está bloqueado por un fusible o antifuse. PROMs de tales se utilizan para almacenar programas de forma permanente. La diferencia de un estricto ROM es que la programación se aplica después de que el dispositivo está construido. Ellos son a menudo visto en consolas de videojuegos, o diccionarios electrónicos, para que PROMs de diferentes idiomas puedan ser sustituidos.
PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando para la División de Arma de la American Bosch Arma Corporation en Garden City, Nueva York. La invención fue concebida a petición de los Estados Unidos la Fuerza Aérea para llegar a una más flexible y segura de almacenar los ataques constantes en el Atlas E / F ICBM 's digitales aerotransportados.

EPROM, o rasable E P rogrammable R EAD-O nly M Emory, es un tipo de chip de memoria que retiene sus datos cuando su fuente de alimentación está apagado. En otras palabras, es no volátil. Se trata de un conjunto de puerta flotante transistores individualmente programadas por un dispositivo electrónico que suministra voltajes más altos que los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Una vez programado, una EPROM puede borrarse por exponerlo a la luz ultravioleta. EPROM son fácilmente reconocibles por la transparencia de cuarzo fundido ventana en la parte superior del paquete, a través de la cual el chip de silicio puede ser visto.
La EPROM fue inventado por Israel ingeniero Dov Frohman en 1971. EPROM vienen en varios tamaños, tanto en física así como el envasado y la capacidad de almacenamiento.

EEPROM también escrito E 2 PROM, es un tipo de memoria no volátil utilizada en computadoras y otros electrónicos dispositivos para almacenar pequeñas cantidades de datos que deben guardarse cuando el poder se elimina, por ejemplo, las tablas de calibración o la configuración de dispositivos. EEPROM se realizan en matrices de puerta flotante transistores.
En 1983, George Perlegos en Intel desarrolló el Intel 2816, que fue construido en anteriores EPROM tecnología, pero utiliza una fina capa de óxido de puerta para que el chip puede borrar sus propios bits sin necesidad de una fuente UV. Perlegos y otros más tarde dejaron Intel para formar Seeq Tecnología.

Flash Memory, este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos da la opción de utilizarla también como memoria RAM.
Fueron inventadas por Dr Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en torno a 1980 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC.

A FUTURO:
Ferroeléctricos RAM (FeRAM o FRAM ), es una memoria de acceso aleatorio, que utiliza unos ferroeléctricos capa en lugar de un dieléctrico capa a lograr la no-volatilidad. FeRAM es uno de un número creciente de alternativas de memoria no volátil tecnologías que ofrecen la misma funcionalidad que la memoria Flash. FeRAM ventajas con respecto a Flash son: menor consumo de energía de uso, velocidad de escritura más rápida y un mayor número máximo (superior a 10 16 para dispositivos de 3,3 V), de escribir-borrar los ciclos. FeRAM desventajas son las siguientes: mucho más bajas densidades de almacenamiento de los dispositivos Flash, las limitaciones de capacidad de almacenamiento y mayor costo.
El desarrollo de la FeRAM comenzó en el decenio de 1980. Trabajo realizado en 1991 en la NASA Jet Propulsion Laboratory en la mejora de los métodos de lectura, incluyendo un nuevo método de control no destructivo de lectura utilizando pulsos de la radiación UV.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) es una organización no-volátil la memoria de la computadora (NVRAM), la tecnología, que ha estado en desarrollo desde el decenio de 1990.Continúa el aumento en la densidad de las actuales tecnologías de memoria - sobre todo RAM Flash y DRAM - MRAM mantenerse en un nicho en el mercado, pero sus defensores creen que las ventajas son tan abrumadora que MRAM eventualmente convertirse en dominante para todos los tipos de memoria, se convierta en una verdadera "memoria universal"

La célula de metalización programable, o PMC, es una nueva forma de no-volátil la memoria de la computadora están desarrollando en la Universidad Estatal de Arizona y su derivado, Tecnologías de Axon.PMC es una de una serie de tecnologías que se están preparando para sustituir a la ampliamente utilizada de memoria flash, proporcionando una combinación de vida más largo, de menor consumo de energía, y una mejor densidad de la memoria. Infineon Technologies, que licencia la tecnología en 2004, se refiere a ella como conductora puente-RAM, o CBRAM. NEC tiene una variante llamada "Nanobridge" Sony y pide su versión "electrolíticos de la memoria".

PRAM (Phase-change Random Access Memory) también son conceptualmente antiguas, pero en este caso ha sido fundamental para su desarrollo la evolución tecnológica de algunos materiales. Su funcionamiento se basa en la actuación térmica sobre un vidrio que tiene la capacidad de convertirse en cristalino o amorfo, permitiendo el paso o no de corriente eléctrica. Es algo parecido a un CD o DVD regrabable sólo que en el caso del regrabable se modifica el tamaño del sustrato mientras que en la PRAM se modifica su conductividad, además de que en el primer caso la lectura es óptica, y en el segundo, eléctrica. Sus ventajas residen en la velocidad, 30 veces superior a las de las memorias actuales, poco consumo eléctrico, y alta densidad de integración (Samsung dice que para finales de 2008, tendrá memorias de 64 GB). Además, su vida útil es prácticamente ilimitada.
Los expertos dicen que tiene futuro la PRAM, porque se estima que sus costos de producción serán inferiores a las MRAM y las Flash. A la espera de la salida al mercado de consumo de estas memorias, podemos recrearnos en el viejo sueño de que cuando encendamos el ordenador, esté inmediatamente en condiciones de trabajar, tal y como lo dejamos cuando lo apagamos.

SONOS, corto de óxido de silicio, óxido de nitruro de silicio-, es un tipo de alto rendimiento no volátil la memoria de la computadora. Es similar a la utilizada ampliamente Flash RAM, pero ofrece menor consumo de energía y el uso de un poco más la vida. SONOS se está desarrollando como uno de un número de posibles reemplazos Flash, y se utiliza actualmente en Cypress Semiconductor 's PSoC línea de productos.